Микроскоп Сканирующий электронный с фокусированным ионным пучком (FIB-SEM) CIQTEK DB550

Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным пучком (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Оснащена колонной с фокусированным ионным пучком для наноанализа и подготовки образцов. Она использует технологию «супертуннельной» электронной оптики, низкую аберрацию и немагнитную конструкцию объектива, а также обладает функцией «низкое напряжение, высокое разрешение», обеспечивающей аналитические возможности в наномасштабе.

Ионные колонки облегчают Ga ⁺ Источник ионов жидкого металла с высокостабильными и высококачественными ионными пучками, обеспечивающий возможности нанопроизводства. DB550 — это универсальная рабочая станция для наноанализа и производства нанокомпонентов со встроенным наноманипулятором, системой впрыска газа и удобным графическим интерфейсом.

1. «Супертуннель» " технология электронно-оптической колонны/торможение пучка в колонне

Уменьшает эффект пространственной зарядки, обеспечивая разрешение при низком напряжении.

2. Отсутствие кроссовера на пути электронного пучка

Эффективно уменьшает аберрации объектива и улучшает разрешение.

3. Электромагнитный и электростатический составной объектив

Уменьшить аберрации, значительно улучшить разрешение при низких напряжениях и обеспечить наблюдение за магнитными образцами.

4. Объектив с водяным охлаждением и постоянной температурой

Обеспечить стабильность, надежность и повторяемость характеристик объектива.

5. Система переключения апертуры с несколькими отверстиями с помощью электромагнитного отклонения луча

Автоматическое переключение между апертурами без механического движения позволяет быстро переключаться между различными режимами

съемки.

Колонна с фокусированным ионным пучком (FIB)

Разрешение: 3 нм при 30 кВ

Ток зонда: от 1 пА до 65 нА

Диапазон ускоряющего напряжения: от 0,5 кВ до 30 кВ

Интервал замены источника ионизации: ≥1000 часов

Стабильность: 72 часа бесперебойной работы

Нано-манипулятор

Камера с внутренним монтажом

Трех- или четырехосный пьезоэлектрический привод

Размер шага ≤ 10 нм

Максимальное движение 2 мм/с

Интегрированная система управления пользовательским интерфейсом

4-осевой манипулятор с функцией вращения

Сотрудничество ионно-электронных пучков

Система впрыска газа

Единая конструкция ГИС

Доступны различные источники прекурсоров газа

Расстояние введения иглы ≥35 мм

Повторяемость движения ≤10 мкм

Повторяемость контроля температуры нагрева ≤ 0,1°C

Диапазон нагрева: от комнатной температуры до 90°C (194 °F )

Интегрированная система управления